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SPD選型原則

1、級間配合：電涌保護(hù)器SPD2 安裝在 SPD1的下游, 通常它的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它與 SPD1安裝得過近, SPD2 有可能比 SPD1更早動(dòng)作, 從而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐級分流、分級保護(hù)的方法，才能保證SPD即有很長的壽命，又能把電源系統(tǒng)雷擊電涌電壓限制在設(shè)備能承受的水平內(nèi)。

2、15米原則：當(dāng)進(jìn)線端的SPD與被保護(hù)設(shè)備之間的距離 > 15 米， 應(yīng)在離被保護(hù)設(shè)備盡可能近的地方安裝另一個(gè)電涌保護(hù)器

3、10米原則：當(dāng)保護(hù)SPD1和SPD2作為級聯(lián)安裝時(shí)，專業(yè)電涌保護(hù)器,浪涌保護(hù)器相關(guān)，SPD1和SPD2之間的最短距離：10 米。目的為了延遲SPD2上雷擊波的到達(dá)，以使盡可能多的能量被SPD1釋放。

4、50CM原則：進(jìn)線和出線可以直接并接，也可以用V形接法（凱文接線）連接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以減少引線電感電壓降對被保護(hù)設(shè)備的沖擊。

納米ZnO技術(shù)

1、高電位梯度：近年國內(nèi)外的研究結(jié)果表明，ZnO芯片的電位梯度取決于單位厚度內(nèi)的晶界數(shù)目，液相擴(kuò)散控制ZnO晶粒的生長速度；而晶界數(shù)目又是由ZnO晶粒粒徑所確定的，故減小ZnO晶粒粒徑是提高ZnO芯片電位梯度的主要途徑。

納米ZnO是由極細(xì)晶粒組成，其特征維度尺寸（晶粒尺寸、晶界寬度、第二相分布等）是納米數(shù)量級。以納米ZnO為核心的高梯度配方的設(shè)計(jì)，專業(yè)電涌保護(hù)器,防電涌保護(hù)器相關(guān)，能夠有效增加晶界層數(shù)量、抑制晶粒生長速度及提高勢壘高度，能夠大幅提高單位面積的通流能力，能夠大幅提高電位梯度。

2、高能量耐受：同單位體積的能量耐受，主要體現(xiàn)在ZnO芯片擊穿。其主要原因是由于電流分配不均勻?qū)е聼崮軈R集某一點(diǎn)，最終歸結(jié)于微觀組織結(jié)構(gòu)的不均勻性所致。這就要求盡可能從制造工藝上提高ZnO芯片結(jié)構(gòu)和成分均勻性、減少陶瓷本體內(nèi)部缺陷。

在原料的選用上，納米ZnO粒子作為聯(lián)系宏觀物體及微觀粒子的橋梁，其表面效應(yīng)伴隨著粒徑的減小，表面原子數(shù)的迅速增加，納米粒子的表面積、表面能都迅速增大。表面原子周圍缺少相鄰的原子，有許多懸空鍵，具有不飽和性質(zhì)，易與其它原子相結(jié)合而穩(wěn)定下來，故具有很大的化學(xué)活性。

在添加劑的選用上，使用易于分散、活性較高的改性納米BiO 3 ，有助于提高燒結(jié)過程中的傳質(zhì)速度，有助于改善液相對界面的侵潤性，形成良好的晶界面。納米材料的配方、新型高效分散設(shè)備的應(yīng)用和窯爐曲線的調(diào)整，對于芯片均勻

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性改善均起到顯著作用，對于單位體積能量耐受能力提高起到顯著作用。

熱能聚中技術(shù)

1、高安全性：熱能聚集人為控制在中心區(qū)域；非中心區(qū)域的溫度，要遠(yuǎn)低于中心區(qū)域。從而保障了熱脫離器脫離前，非中心區(qū)域的溫度，一直處于安全溫度；避免熱脫離器脫離過程中，非中心區(qū)域的某點(diǎn)溫度，可能已經(jīng)超過甚至遠(yuǎn)超過警戒值，進(jìn)而可能引發(fā)火災(zāi)，保障了客戶設(shè)備的安全運(yùn)行。

2、TOV快速、準(zhǔn)確:熱能聚集人為控制在中心區(qū)域；芯片的熱能，傳導(dǎo)到脫離器的傳導(dǎo)距離最短、傳導(dǎo)熱能最多、傳導(dǎo)熱能最集中、傳導(dǎo)速度最快，保障熱脫離器能夠最快速度準(zhǔn)確脫離。保障了客戶設(shè)備的TOV的快速、準(zhǔn)確。

　　　　 雷電在空間和導(dǎo)線上的強(qiáng)大電流及電磁場對建筑物內(nèi)外的通信電纜、數(shù)據(jù)線、遙測線、天饋線、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中的各種連接線等金屬導(dǎo)線和電路，形成的電磁感應(yīng)或靜電感應(yīng)過電壓將通過設(shè)備的輸入端進(jìn)入電子設(shè)備，導(dǎo)致設(shè)備的損壞、停機(jī)、數(shù)據(jù)中斷、丟失?！　‰S著科技的進(jìn)步，各行各業(yè)配置的計(jì)算機(jī)、通信和精密電子設(shè)備日益增加，由于弱點(diǎn)設(shè)備的器件集成度高、體積小，對過電壓的抵御能力很低，如TTL等集成電路12.5V峰值、30ns脈寬的沖擊電壓就可使器件破壞。因此，加裝各種信號(hào)浪涌保護(hù)器是確保信息通暢的重要手段?！　⌒盘?hào)類過電壓保護(hù)器系列產(chǎn)品對感應(yīng)雷、侵入波、操作過電壓、靜電干擾等有很好的抑制作用?！　　　⌒盘?hào)浪涌保護(hù)器 1)基于新一代智能變電站設(shè)備集成、功能集成、系統(tǒng)集成和專業(yè)集成的設(shè)計(jì)原則，對目前智能變電站的三層兩網(wǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，北京電聯(lián)港電器設(shè)備有限責(zé)任公司,電聯(lián)港電器,在不改變站控層網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)上，專業(yè)電涌保護(hù)器,二級電涌保護(hù)器相關(guān)，將原來間隔層設(shè)備和過程層設(shè)備進(jìn)行有效集成，模塊化設(shè)計(jì)集成到一個(gè)裝置中，該裝置是通過站控層交換機(jī)與站控層設(shè)備交互的唯一設(shè)備，并通過光纖直連方式與開關(guān)本體交互，對變電站系統(tǒng)來說僅有兩層一網(wǎng)，簡化了網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)復(fù)雜度。最終建立緊湊化結(jié)構(gòu)的新一代智能高壓開關(guān)設(shè)備網(wǎng)絡(luò)信息流。 因其無油、環(huán)保，沒有輔助運(yùn)行系統(tǒng)、基本免維護(hù)等優(yōu)勢，使得干式平波電抗器正在逐漸成為直流輸電網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的一個(gè)方向。 這臺(tái)±800kV 400Mvar干式平波電抗器，是目前國內(nèi)單臺(tái)額定直流連續(xù)電流最大的干式平波電抗器，抗震、溫升要求高、防雨降噪要求嚴(yán)格，在合理解決防雨降噪和熱點(diǎn)溫升之間的矛盾方面具有一定難度。這7臺(tái)±800kV 400Mvar干式平波電抗器，是西電西變首次批量生產(chǎn)的±800kV干式平波電抗器，也是首次采用斜支撐設(shè)計(jì)的干式平波電抗器產(chǎn)品。

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