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電子束光刻系統(tǒng) EBL (E-Beam Lithography) 電子束直寫系統(tǒng) 、 電子束曝光系統(tǒng) CABL-9000C series 30kV、50kV、90kV、110kV、130kV 2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸 納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)先進(jìn)納米科技提供尖端 的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，超高分辨率電子束直寫,超高分辨率儀器儀表光刻曝光機(jī)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。 型號(hào)包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小線寬可達(dá)8nm，最小束斑直徑2nm，套刻精度 20nm(mean 2σ)，超高分辨率電子束直寫,超高分辨率儀器儀表曝光，拼接精度 20nm(mean 2σ)。 技術(shù)參數(shù)： 1.最小線寬：小于10nm（可實(shí)現(xiàn)8nm ) 2.加速電壓：5-50kV 3.電子束直徑：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean 2σ) 5.拼接精度：20nm(mean 2σ) 6.加工晶圓尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描電鏡分辨率：小于2nm 主要特點(diǎn)： 1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍 2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù) 3.采用場尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率（address size)可達(dá)0.0012nm 4.采用軸對(duì)稱圖形書寫技術(shù)，圖形偏角分辨率可達(dá)0.01mrad 5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納 米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），欣源科技（北京）有限公司,欣源科技（北京）,圖形線寬和圖形位移測量等。 ================================== 超高分辨率電子束光刻EBL Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series) 納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)先進(jìn)納米科技提供尖端 的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。 超高分辨率的電子束光刻CABL-UH系列的型號(hào)包括： CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV) 技術(shù)參數(shù)： 加速電壓：最高130keV 單段加速能力達(dá)到130keV，超高分辨率電子束直寫,高拼接套刻精度儀器儀表光刻，盡量減少電子槍的長度 超短電子槍長度，無微放電 電子束直徑＜1.6nm 最小線寬＜7nm 雙熱控制，實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力 欣源科技SYNERCE獨(dú)家代理日本CRESTEC公司的電子束光刻系統(tǒng)，又稱作電子束曝光、電子束直寫、EBL、E-Beam Lithography等。 包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV 2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸 如有任何需求和相關(guān)問題，敬請(qǐng)電話或郵件垂詢。

SAIREM微波波導(dǎo)元件_固態(tài)儀器儀表


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