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欣源科技（北京）有限公司多功能原子層沉積系統(tǒng) ALD (Atomic Layer Deposition)

原子層沉積ALD
ALD原子層沉積鍍膜
atomic layer 原子層沉積
Roll-to-Roll原子層沉積
Roll-to-Roll ALD 原子層沉積
Roll to Roll 原子層沉積
Roll to Roll ALD 原子層沉積
快速原子層沉積ALD
單原子層沉積ALD
氧化物原子層沉積ALD
國產原子層沉積系統(tǒng)
Thermal ALD原子層沉積
PEALD原子層沉積
PE-ALD原子層沉積
Plasma Enhanced ALD原子層沉積
等離子體增強ALD原子層沉積
等離子體ALD原子層沉積
多功能原子層沉積
工業(yè)級原子層沉積
熱式原子層沉積系統(tǒng)
工業(yè)量產及特殊定制原子層沉積系統(tǒng)
定制原子層沉積系統(tǒng)

欣源科技熱式原子層沉積系統(tǒng) (Thermal ALD)
基本技術參數(shù)
基片尺寸: 4 -12 英寸可選
樣品高度: 6 mm, 可選配更高樣品選件
基片溫度: RT-400℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件
前驅體輸運系統(tǒng): 標準2路前驅體管路，可以選配到6路以上
載氣系統(tǒng): N2或者Ar
沉積模式: 連續(xù)模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、壓力調諧模式TM（PreTuneTM）
可選件: 手套箱，大尺寸/多片樣品夾具，顆粒包裹夾具，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，客戶定制反應腔等
沉積均勻性: Al2O3 均勻性 < /?1%
電源: 50-60Hz, 220V /15A交流電源 ,標準金屬機柜，易拆卸柜板，可調節(jié)支腳
儀器尺寸: 1100 X 600 X 1200 mm
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等離子體增強原子層沉積系統(tǒng) (PEALD, Plasma Enhanced ALD)
基本技術參數(shù):
基片尺寸: 4,8,12 英寸可選
基片溫度: RT-600℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件
前驅體輸運系統(tǒng): 標準3路前驅體管路，可以選配到6路以上
反應腔: 噴淋式等離子體和前驅體進氣口,鋁制穹頂?shù)入x子體擴散腔
沉積模式: 熱沉積模式、等離子增強模式、連續(xù)模式TM （Flow TM ）、壓力調諧模式TM （PreTune TM）、單面沉積模式TM（SinglePro TM ）、離子束輔助沉積模式, 以上可選
等離子體氣源: 標準3路，可以選配到6路以上
等離子體源: ICP remote plasma 500W, 更大功率可選
基片輸運系統(tǒng): 手動, 手動/自動Load lock可選
可選件: 手套箱，欣源科技（北京）有限公司,等離子體增強ALD原子層沉積,欣源科技（北京）,臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，單面沉積模式附件, 離子束輔助沉積模式附件
沉積均勻性: Al2O3 均勻性 <±1%
儀器尺寸:1250(L)X800(W)X1800(H) mm
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表面波等離子體源微波頭供應商_射頻儀器儀表銷售
欣源科技（北京）有限公司多功能原子層沉積系統(tǒng) ALD (Atomic Layer Deposition) 原子層沉積ALD ALD原子層沉積鍍膜 atomic layer 原子層沉積 Roll-to-Roll原子層沉積 Roll-to-Roll ALD 原子層沉積 Roll to Roll 原子層沉積 Roll to Roll ALD 原子層沉積 快速原子層沉積ALD 單原子層沉積ALD 氧化物原子層沉積ALD 國產原子層沉積系統(tǒng) Thermal ALD原子層沉積 PEALD原子層沉積 PE-ALD原子層沉積 Plasma Enhanced ALD原子層沉積 等離子體增強ALD原子層沉積 等離子體ALD原子層沉積 多功能原子層沉積 工業(yè)級原子層沉積 熱式原子層沉積系統(tǒng) 工業(yè)量產及特殊定制原子層沉積系統(tǒng) 定制原子層沉積系統(tǒng) 卷對卷原子層沉積系統(tǒng)(Roll-to-Roll ALD) 基本技術參數(shù): 專門為柔性材料沉積領域的用戶設計的原子層沉積系統(tǒng)。是基于創(chuàng)新設計的高產能卷對卷原子層沉積系統(tǒng)，模塊化的沉積單元可靈活配置組合以適用于不同的走帶速度和基帶寬度。該系統(tǒng)完全符合CE標準。它的操作界面直觀簡單，配備多種材料的標準沉積工藝配方，使用及維護成本低。 高度集成和靈活性該系統(tǒng)適用于不同幅寬的柔性薄膜材料（典型材料PEN、PET）。50um厚度基帶可以一次完成1000m以上沉積。提供不同厚度沉積模塊供用戶選擇。設備高度集成體積2m（長）X1m（寬）X1.6m（高） 控制與多種沉積模式單向沉積模式、往復沉積模式、單面沉積模式、雙面沉積模式等。可實現(xiàn)高速單、雙面沉積，以及較厚（>50nm）的薄膜沉積。 穩(wěn)定可靠與低使用維護成本腔體采用真空系統(tǒng)，結合特殊的前驅體氣路設計，把前驅體源和載氣的浪費減少到極低。典型Al2O3沉積工藝：N2載氣流量1000sccm；每小時TMA消耗量<1g；實際使用功率：5KW。 易操作性操作界面直觀簡單, 操作者很容易熟練掌握。所有參數(shù)（前驅體剩余量、沉積溫度、載氣流量，閥門狀態(tài)等）均在計算機操作界面中設定修改，整個沉積過程及狀態(tài)參數(shù)均實時顯示。 完善的安全保障包含多重安全保護機制：閥門狀態(tài)報警、溫度超限報警、前驅體源不足報警等。異常情況自動關閉閥門、加熱電源、電機等設備防止損傷以及前驅體泄漏。 詳細信息請聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 工業(yè)量產及特殊定制原子層沉積系統(tǒng) 可提供針對工業(yè)量產的工業(yè)級原子層沉積系統(tǒng),包括標準系統(tǒng)和特殊定制系統(tǒng)。 專門為工業(yè)化生產而設計的全自動原子層沉積系統(tǒng), 采用了獨特的前驅體輸運方式，等離子體增強ALD原子層沉積，可以實現(xiàn)薄膜厚度與薄膜厚度均勻性的控制。配備多種材料的標準沉積工藝配方，滿足工業(yè)應用的標準,?使用及維護成本低。 同時可專門為科學研究與工業(yè)用戶定制所要求的特殊原子層沉積系統(tǒng), 包括與各種其他設備的無縫連接,樣品的傳輸檢測，特殊沉積工藝要求, 等等。 詳細信息請聯(lián)系我們 ！欣源科技（北京）有限公司 欣源科技（北京）有限公司熱式原子層沉積系統(tǒng) (Thermal ALD) 基本技術參數(shù) 基片尺寸: 4 -12?英寸可選 樣品高度: 6 mm, 可選配更高樣品選件 基片溫度: RT-400℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件 前驅體輸運系統(tǒng): 標準2路前驅體管路，可以選配到6路以上 載氣系統(tǒng): N2或者Ar 沉積模式: 連續(xù)模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、壓力調諧模式TM（PreTuneTM） 可選件: 手套箱，大尺寸/多片樣品夾具，顆粒包裹夾具，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測系統(tǒng)，等離子體增強ALD原子層沉積，尾氣處理系統(tǒng)，客戶定制反應腔等 沉積均勻性: Al2O3?均勻性?< /?1% 電源: 50-60Hz, 220V /15A交流電源 ,標準金屬機柜，易拆卸柜板，可調節(jié)支腳 儀器尺寸: 1100 X 600 X 1200 mm 詳細信息請聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)?(PEALD, Plasma Enhanced ALD) 基本技術參數(shù): 基片尺寸: 4,8,12 英寸可選 基片溫度: RT-600℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件 前驅體輸運系統(tǒng): 標準3路前驅體管路，可以選配到6路以上 反應腔: 噴淋式等離子體和前驅體進氣口,鋁制穹頂?shù)入x子體擴散腔 沉積模式: 熱沉積模式、等離子增強模式、連續(xù)模式TM （Flow TM ）、壓力調諧模式TM （PreTune TM）、單面沉積模式TM（SinglePro TM ）、離子束輔助沉積模式, 以上可選 等離子體氣源: 標準3路，可以選配到6路以上 等離子體源: ICP remote plasma 500W, 更大功率可選 基片輸運系統(tǒng): 手動, 手動/自動Load lock可選 可選件: 手套箱，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，單面沉積模式附件, 離子束輔助沉積模式附件 沉積均勻性: Al2O3 均勻性 <±1% 儀器尺寸:1250(L)X800(W)X1800(H) mm 詳細信息請聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 卷對卷原子層沉積系統(tǒng)(Roll-to-Roll ALD) 基本技術參數(shù): 專門為柔性材料沉積領域的用戶設計的原子層沉積系統(tǒng)。是基于創(chuàng)新設計的高產能卷對卷原子層沉積系統(tǒng)，模塊化的沉積單元可靈活配置組合以適用于不同的走帶速度和基帶寬度。該系統(tǒng)完全符合CE標準。它的操作界面直觀簡單，配備多種材料的標準沉積工藝配方，使用及維護成本低。 高度集成和靈活性該系統(tǒng)適用于不同幅寬的柔性薄膜材料（典型材料PEN、PET）。50um厚度基帶可以一次完成1000m以上沉積。提供不同厚度沉積模塊供用戶選擇。設備高度集成體積2m（長）X1m（寬）X1.6m（高） 控制與多種沉積模式單向沉積模式、往復沉積模式、單面沉積模式、雙面沉積模式等。可實現(xiàn)高速單、雙面沉積，等離子體增強ALD原子層沉積，以及較厚（>50nm）的薄膜沉積。 穩(wěn)定可靠與低使用維護成本腔體采用真空系統(tǒng)，結合特殊的前驅體氣路設計，把前驅體源和載氣的浪費減少到極低。典型Al2O3沉積工藝：N2載氣流量1000sccm；每小時TMA消耗量<1g；實際使用功率：5KW。 易操作性操作界面直觀簡單, 操作者很容易熟練掌握。所有參數(shù)（前驅體剩余量、沉積溫度、載氣流量，閥門狀態(tài)等）均在計算機操作界面中設定修改，整個沉積過程及狀態(tài)參數(shù)均實時顯示。 完善的安全保障包含多重安全保護機制：閥門狀態(tài)報警、溫度超限報警、前驅體源不足報警等。異常情況自動關閉閥門、加熱電源、電機等設備防止損傷以及前驅體泄漏。 詳細信息請聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 工業(yè)量產及特殊定制原子層沉積系統(tǒng) 可提供針對工業(yè)量產的工業(yè)級原子層沉積系統(tǒng),包括標準系統(tǒng)和特殊定制系統(tǒng)。 專門為工業(yè)化生產而設計的全自動原子層沉積系統(tǒng), 采用了獨特的前驅體輸運方式，可以實現(xiàn)薄膜厚度與薄膜厚度均勻性的控制。配備多種材料的標準沉積工藝配方，滿足工業(yè)應用的標準,?使用及維護成本低。 同時可專門為科學研究與工業(yè)用戶定制所要求的特殊原子層沉積系統(tǒng), 包括與各種其他設備的無縫連接,樣品的傳輸檢測，特殊沉積工藝要求, 等等。 詳細信息請聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司

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